1. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
Свойства p - n -перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки.
База знаний Избранные статьи Эксплуатация электрооборудования Электроснабжение Электрические аппараты Электрические машины Электропривод Электрическое освещение. Школа для электрика в Telegram. К полупроводникам относятся вещества с удельным сопротивлением от 10 -5 до 10 2 ом х м. По своим электрическим свойствам они занимают промежуточное положение между металлами и изоляторами. Сопротивление полупроводника подвержено влиянию многих факторов: оно сильно зависит от температуры с ростом температуры сопротивление уменьшается , зависит от освещения под действием света сопротивление уменьшается и т.
Электронно-дырочным переходом р-n- переходом называют слой полупроводника, располагающийся по обе стороны от границы раздела р и n-областей. В зависимости от характера распределения примесей, различают резкий и плавный р-n- переходы. В резком р-n-переходе концентрация акцепторов и доноров изменяется скачкообразно на границе р- и n-областей. В плавном переходе концентрация акцепторов и доноров является линейной функцией расстояния. Относительно резкий р-n-переход можно создать при вплавлении примеси, плавный при диффузии.
